La plateforme de caractérisation électrique, d'une surface de 100m², est dédiée à la formation et à la recherche pour la caractérisation électrique de composants intégrés. Ces techniques nécessitent non seulement des notions de base sur la mesure en courant continu, transitoire ou alternatif, mais également de solides connaissances en physique des semiconducteurs et des composants. En effet, la plupart des mesures donnent ensuite lieu à des extractions plus ou moins poussées basées sur des modèles physiques.
Enfin, il s’agit d’un domaine en plein essor : avec les progrès des technologies, les mesures et leur interprétation s’avèrent de plus en plus complexes (comme par exemple à cause des courants de grille, qui rendent la caractérisation C-V des capacités MOS difficile). D’autre part, l’introduction de nouveaux composants (composants SOI par exemple) ou de nouveaux matériaux (diélectriques alternatifs, canaux contraints etc) augmentent la demande en expertise en caractérisation électrique.
C’est pourquoi la plateforme « caractérisation électrique » met à disposition des instruments de mesure I-V et C-V aux formations intervenant sur le CIME Nanotech. Elles permettent aux étudiants de s’initier à la caractérisation électrique, soit sur des échantillons réalisés dans la salle blanche du CIME Nanotech, soit sur des échantillons extérieurs. Enfin, elles peuvent également servir à des chercheurs ne disposant pas de ces instruments de mesure dans leurs laboratoires, et soucieux d’effectuer quelques mesures électriques.
447 étudiants de 6 établissements (Grenoble INP, Université Grenoble Alpes, Université de Strasbourg, Montpellier 2, Université de Nice, Université de Tours)
Principaux TP
Caractérisation de diode pn :
extraction des tensions de seuil
extraction des coefficients d'idéalité
Caractérisation de capacité MOS
extraction du dopage du substrat
extraction des tensions de bandes plates
extraction des densités de charge dans l'oxyde
comparaison entre différente méthodes d'extraction
impact des défauts d'interface sur la caractérisation C-V en fréquence
Caractérisation des transistor MOS
extraction des tensions de seuil
extraction de la mobilité en champs faible
extraction des surgravures dues aux procédés de fabrication
Caractérisation de MOSFET submicronique
étude des effets de canaux courts
extraction des résistances d'accès
extraction de la mobilité en fonction de la tension de grille
► Lycée (Programme Nano@School) :
atelier photovoltaïque
110 étudiants en 2019
Recherche et valorisation
► Laboratoires :
25 chercheurs issus de 2 laboratoires (G2ELab et LTM)
Mutualisation des moyens de caractérisation pour les laboratoires de la FMNT