Nouvel équipement en salle blanche

La salle blanche du CIME Nanotech s’est dotée récemment d’un équipement CP21 de WEP pour mesurer les profils de dopants dans les matériaux semi-conducteurs (faible et grand gap), par la technique ECV (Electrochemical Capacitance Voltage).
Ce système de mesure de profils de dopants accepte des échantillons d’environ 1cm2 pour les plus petites tailles ainsi que des plaques (wafers) d’un diamètre allant de 2 à 8 pouces. Si l’échantillon à analyser ne demande aucune préparation particulière, une solution électrolytique, qui dépend de la nature de l’échantillon et des dopants à mesurer, doit être préparée et se périme après une semaine.

Les mesures peuvent s’effectuer sur des empilements de couches, sur des matériaux isolants ou conducteurs. Elles permettent de connaître les concentrations de dopants entre 1E12 et 1E21 cm-3, sur des profondeurs de plusieurs microns (la profondeur de mesure souhaitée est précisée avant chaque acquisition), et en particulier la profondeur de jonction dans le cas d’une diode PN.

Cet équipement comporte tous les éléments permettant les mesures, les traitements informatiques et les présentations des résultats, ainsi qu’une caméra pour visualiser la zone d’intérêt.